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FDS6673BZ - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FDS6673BZ

Hersteller Teil #: FDS6673BZ

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: ON Semiconductor

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDS6673BZ - MOSFET Transistor, P Channel, 14.5 mA, -30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.9 V

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

FDS6673BZ Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

18 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Number of Pins

Weight

130mg

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

225 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

PowerTrench®

Published

2009

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

7.8MOhm

Terminal Finish

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

2.5W

Turn On Delay Time

14 ns

FET Type

P-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8m Ω @ 14.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4700pF @ 15V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

124nC @ 10V

Rise Time

16ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

105 ns

Continuous Drain Current (ID)

14.5mA

Threshold Voltage

-1.9V

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

-30V

Nominal Vgs

1.9 V

Feedback Cap-Max (Crss)

900 pF

Height

1.5mm

Length

5mm

Width

4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
FDS6673BZ	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	ON SEMICONDUCTOR - FDS6673BZ - MOSFET Transistor, P Channel, 14.5 mA, -30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.9 V
IRF9317TRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
FDS8874	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
FDS6688S	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

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FDS6673BZ Verteilers
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What is MOSFET and how it works?

MOSFET is an electrically driven switch, which allows and prevents a flow of current, without any mechanical moving parts. The MOSFET stands for METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR(Fig 1). In MOSFET, the MOS part is related to the structure of the transistor, while the FET part is related to how it works.

What is the basic principle of MOSFET?

When voltage is applied to the gate, an electrical field is generated that changes the width of the channel region, where the electrons flow. The wider the channel region, the better conductivity of a device will be.

What is the difference between MOSFET and transistor?

The Bipolar Junction Transistor (BJT) is a current-driven device (in contrast, MOSFET is voltage-driven) that is widely used as an amplifier, oscillator, or switch, amongst other things. A BJT has three pins – the base, collector, and emitter – and two junctions: a p-junction and n-junction.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: ON SEMICONDUCTOR - FDS6673BZ - MOSFET Transistor, P Channel, 14.5 mA, -30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.9 V

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 494220 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.37555

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.37555
10+:	$1.29769
100+:	$1.22424
500+:	$1.15494
1000+:	$1.08957

Zwischensumme: $1.37555

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